郑翔，集成电路研究所韩根全团队，副研究员，入选教育部人才计划，
2010-2014 北京工业大学 工学学士学位；
2014-2020 北京工业大学 工学博士学位（导师：冯士维教授）；
2021-2024 布里斯托大学 CDTR研究中心 博士后（合作导师：Martin Kuball教授）；
2024-2025 布里斯托大学 物理学院 荣誉副研究员；
2025-至今 西安电子科技大学杭州研究院；
科研项目：主持国家自然科学青年基金项目（C类）一项，参与美国能源部国际项目ULTRA（负责超宽禁带半导体材料和器件热表征工作），英国EPSRC GaNDaME项目（负责GaN-on-diamond器件热表征工作），国家自然科学基金面上项目4项，北京市自然科学基金面上项目2项，北京市科委项目1项；
科研成果： IEEE T-ED，APL（含Invited）等微电子领域旗舰期刊40余篇，第一作者/通讯作者10余篇，获授权国家发明专利2项；
荣誉：北京市科学技术奖（技术发明奖）二等奖，北京工业大学优秀博士论文等；
主要研究方向：（超）宽禁带半导体器件可靠性，器件电学表征，功率半导体器件热表征。
邮箱：zhengxiang@xidian.edu.cn
