周久人，男，博士，后摩尔器件与芯片实验室菁英教授、中国电子学会会员、IEEE会员。2019年毕业于西安电子科技大学，获工学博士学位。并获得“陕西省优秀博士学位论文（2021）”和“中国电子学会优秀博士学位论文（2019）”。
2015年至今，周久人博士先后加入加州大学伯克利分校SayeefSalahuddin/ChenmingHu教授团队、新加坡国立大学SNDL实验室Xiao Gong教授团队和西安电子科技大学杭州研究院郝跃院士团队。期间始终围绕高能效铁电逻辑/存储器件及存算一体神经形态芯片展开研究，在器件物理机制、制备技术、性能优化和结构创新等方面取得了一系列具有国际影响力的创新成果。在IEEE International Electron Devices Meeting、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、Science China Information Sciences等微电子领域旗舰会议/学术期刊上发表论文30余篇，并申请国家专利五项。受邀担任IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Journal of the Electron Devices Society、IEEE Open Journal of Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control等知名国际学术会议sub-Committee与期刊审稿人。
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